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判断题 PLD沉积合金薄膜时比蒸发的成分可控性要好。
判断题 MOCVD通常用于制备外延薄膜。
判断题 温度越高，吸附原子解吸附越快，所以扩散距离越短。
判断题 溅射镀膜中，气压越高，入射离子越多，因此沉积速率越快。
判断题 磁控溅射可以是直流溅射，也可以是射频溅射。
判断题 化学气相沉积中，提高气体流速，可加快薄膜的沉积速率。
判断题 低温、高速的沉积往往有助于形成粗大甚至单晶结构的薄膜。
判断题 当入射离子能量小于一定值时，不会发生溅射现象。
判断题 分子泵、扩散泵都不是通过容积变化来达到抽气目的。
判断题 蒸发镀膜时，必须将镀料加热至熔点温度以上。
多项选择题 溅射机理有（）。
多项选择题 热偶规和热阻规工作原理基本相同，只是分别通过采集规管热丝上的...
多项选择题 真空系统中进行真空测量的元件通常称为真空计或真空规管，请指出...
多项选择题 与小平面源相比，点蒸发源具有（）等特点。
多项选择题 PECVD中，等离子体的激励方式有（）。
多项选择题 不同压力下，气体的流动状态可以分为（）。
单项选择题 欲在一批小尺寸的基板上用小平面源蒸发沉积厚度一致的薄膜，基板...
单项选择题 真空蒸发中常用的电阻蒸发金属发热材料不包括（）。
单项选择题 在溶液镀膜法中各列举一个制备Al2O3薄膜的方法是（）。
单项选择题 在连续薄膜的形成过程中，下面哪一个不是涉及小岛合并的机理？（）
单项选择题 以下哪一个不是在不同压力下气体的流态？（）
单项选择题 磁控溅射比较难制备以下哪一种材料的薄膜？（）
单项选择题 外延薄膜的生长方式可以分为（）和二维成核式两种模式。
单项选择题 等离子鞘层中两极间的全部电压降几乎均集中在（）中。
单项选择题 不同压力下，气体的流动状态可以分（），粘滞流和介于两者之间...
单项选择题 以下哪一个不是连续薄膜的生长方式？（）
判断题 对于LPCVD Si3N4工艺，NH3 DCS比例越小颗粒改善越明显。（...
判断题 在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速...
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判断题 膜的应力要尽可能小，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形，...
判断题 通过调节P5000基座水平可改善淀积膜厚的均匀性。（）
判断题 溅射与蒸发过程中真空度大小直接影响制品反射率情况。（）
判断题 蒸发淀积多元化合金薄膜时，可较好控制其化学成分。（）
判断题 P1848设备TEOS水浴加热后通过He携带进入腔体与O2气发生反应...
判断题 溅射淀积工艺的金属台阶覆盖要比蒸发淀积的台阶覆盖更好。（）
单项选择题 液态TEOS源是采用载流气体鼓泡方式携带，例如N2、O2、He，而P...
单项选择题 下列哪种工艺会使用到RF？（）
单项选择题 在硅片加工中可以接受的膜，以下不具备需要的膜特征（）
单项选择题 蒸发台以下哪项参数对膜厚影响最大（）
单项选择题 P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）
单项选择题 溅射台使用的AlSi靶材中，Si的含量是（）
单项选择题 P5000机台属于哪种类型的CVD工艺（）
单项选择题 溅射过程中通过将哪种气体轰击靶材（）
问答题 为什么同一膜层的所有透过率极大值都相等？
问答题 TiO2膜层的所有透过率极小值均不相等说明了什么？
问答题 ZrO2膜层的两个透过率极小值相等说明了什么？
问答题 计算TiO2膜层的折射率和厚度。
问答题 计算ZrO2膜层的折射率和厚度。
问答题 石英玻璃基底上镀制高反膜G （HL）5H A，若镀膜材料为ZnS和Mg...
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问答题 试叙述光电极值法监控膜厚的基本原理。
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填空题 热蒸发技术常用的蒸发源有（）和（）。
填空题 能够直接用来抽大气的真空泵是（）。
填空题 采用光电极值法监控膜厚，监控片为K9玻璃（折射率为1.52）...
填空题 一般镀膜系统测量真空需要两个真空计：（）真空计和（）真空计。
填空题 请写出常用的三种金属镀膜材料：（）、（）、（）。
填空题 电子枪的e型枪是指电子束（）。
填空题 由于极值点的判读精度不高，因此常常采用（）、（）、（）等措施...
填空题 镀膜室内真空度高表明气体压强（），真空度低则气体压强（）。
填空题 Torr和Pa是两个常用来表示真空度的单位，它们较为准确的换算关系...
填空题 按照材料状态不同，一般将薄膜分为（）薄膜、（）薄膜和（）薄膜三类。
填空题 周期性对称膜系（pqp）s的等效折射率和（）的等效折射率完全相同...
填空题 在折射率为3.5的材料表面镀单层减反射膜，材料最佳的折射率为：（）。
填空题 K9玻璃上的单层MgF2膜层与单层ZrO2膜层具有相同的反射色调时...
填空题 镀制单层介质薄膜时，第二次看到相同的反射色时的膜层光学厚度是...
填空题 薄膜是指附着于基底，且与基底不同质的（）涂层。
判断题 PVD填孔性能的指标是台阶覆盖率。
判断题 Al膜反射率过高，会对光刻产生不利影响。
判断题 为了不与薄膜成分发生反应，溅射气体通常使用惰性气体。
判断题 大尺寸的晶粒有利于防止电迁移。
判断题 CVD TiN的工艺温度不能超过350C。
判断题 窄线效应：Gate line width小于1um，Ti salicide的薄膜电阻...
判断题 MRC是一种溅射工艺机台。
判断题 溅射法可以保持复杂合金原组分。
判断题 溅射能够沉积高熔点的难熔金属。
判断题 膜的均匀性越好，越有利于刻蚀。
判断题 使用H2-N2RF电浆（plasma）来降低电阻，提高薄膜的致密性。
判断题 CVD TiN是TDMAT热分解来成膜的。
判断题 Long through PVD可以提升沉积效率。
判断题 较高的深宽比，容易产生空洞。
判断题 AlCu合金中Cu的作用是防止电迁移。
判断题 AlSi合金中Si的作用是防止结尖刺。
判断题 沉膜的厚度与时间呈正比。
判断题 成膜温度越高，膜层晶粒越大。
判断题 真空度低会导致沉积的金属膜容易发生氧化。
判断题 PVD的优点是阶梯覆盖能力强。
多项选择题 Endura5500 degas腔的作用为（）。
多项选择题 TiN膜的三个用途包括（）。
多项选择题 在线使用的靶材主要有（）。
多项选择题 需要监控的参数包括（）。
多项选择题 PVD有哪些种类？（）
单项选择题 AlSi合金中含Si比例一般为（）。
单项选择题 CVD TiN TDMAT的载气是（）。
单项选择题 蒸发台真空度的要求一般（）。
单项选择题 溅射中用于轰击靶材的气体是（）。
单项选择题 PVD的定义为（）。
问答题 简述薄膜应力对X射线衍射峰的影响规律及利用X射线衍射技术测童薄...
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