判断题CVD TiN的工艺温度不能超过350C。
判断题窄线效应：Gate line width小于1um，Ti salicide的薄膜电阻明显上升。
判断题MRC是一种溅射工艺机台。
判断题溅射法可以保持复杂合金原组分。
判断题溅射能够沉积高熔点的难熔金属。
