A.阳极B.阴极鞘层C.阴极D.阳极鞘层
单项选择题不同压力下,气体的流动状态可以分(),粘滞流和介于两者之间的过渡状态。
A.分子流B.原子流C.紊流D.层流
单项选择题以下哪一个不是连续薄膜的生长方式?()
A.熔结B.原子填充C.吞并D.原子团迁移
单项选择题液态TEOS源是采用载流气体鼓泡方式携带,例如N2、O2、He,而P1102.TEOS工艺是采用()进入反应炉。
A.N2B.O2C.HeD.水浴饱和蒸汽
单项选择题下列哪种工艺会使用到RF?()
A.电镀B.SOGC.APCVDD.PECVD
单项选择题在硅片加工中可以接受的膜,以下不具备需要的膜特征()
A.好的台阶覆盖能力B.填充高的深宽比间隙的能力C.好的厚度均匀性D.高的膜应力