判断题大尺寸的晶粒有利于防止电迁移。
判断题CVD TiN的工艺温度不能超过350C。
判断题窄线效应:Gate line width小于1um,Ti salicide的薄膜电阻明显上升。
判断题MRC是一种溅射工艺机台。
判断题溅射法可以保持复杂合金原组分。