判断题Al膜反射率过高，会对光刻产生不利影响。
判断题为了不与薄膜成分发生反应，溅射气体通常使用惰性气体。
判断题大尺寸的晶粒有利于防止电迁移。
判断题CVD TiN的工艺温度不能超过350C。
判断题窄线效应：Gate line width小于1um，Ti salicide的薄膜电阻明显上升。
