A.行星架转速B.加热温度C.熔源时间D.tooling值
单项选择题P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是()
A.SiH4、O2B.SiH4、NH3C.SiH4、N2OD.SiH4、N2
单项选择题溅射台使用的AlSi靶材中,Si的含量是()
A.0.5%B.1%C.0.05%D.0.1%
单项选择题P5000机台属于哪种类型的CVD工艺()
A.APCVDB.LPCVDC.PCVDD.PECVD
单项选择题溅射过程中通过将哪种气体轰击靶材()
A.He气B.N2气C.Ar气D.O2气
多项选择题Endura5500 degas腔的作用为()。
A.除湿气,增加结合力B.转向,确保wafer角度一致C.去除晶圆表面的自然氧化层D.使晶圆表面温度迅速冷却