简答题 集成电路工艺方法分为哪些？

问答题什么是集成电路工艺？

问答题分别解释IC、VLSI、ULSI、CMP、CVD、LPCVD、RIE、SOI、ERC、DRC、EXT等的含义。

问答题简述微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延。

问答题集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点？

问答题集成电路常用的材料有哪些？

问答题简述集成电路发展的摩尔定律。

问答题描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义。

问答题试列出可以在Terminal中显示文件内容的命令，假设本目录下的文件为123.txt。

问答题假设有权限，采用ftp连接IP为192.168.1.100的机器，并将本机上的本目录下的1.txt、2.txt、3.txt三个文件发送到这个机器中。写出命令列表。

问答题0.13um以下集成电路技术中，通常采用不着Cu来替代铝做互连的原因是什么？

问答题在较先进的CMOS工艺中，为什么采用多层布线，请说明原因？

问答题完成一个阶段的版图设计后，要做那两部分的检查？

问答题启动Cadence Virtuoso软件所需的三个基本文件是什么？

问答题简述N型MOSFET的工作原理。

问答题室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022 cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2 V·s，μp＝1700cm2 V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013 cm3。