简答题 简述N型MOSFET的工作原理。

问答题室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022 cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2 V·s，μp＝1700cm2 V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013 cm3。

问答题中心对称是版图匹配中常用的技巧，请解释它是如何减少温度梯度的影响的？请再举出三个版图匹配的原则。

问答题试简要叙述或画出模拟集成电路和数字集成电路的设计流程。

多项选择题在做DRACULA检查（DRC或LVS）时，通常要用Vi编辑命令修改DRC命令文件或LVS命令文件，一般我们只修改那两行？（）

A.outdisk（错误输出信息的gds文件名）
B.indisk（重新做过StreamOut的gds文件名）
C.Primary（top cell name）

多项选择题在一个DRC文件中有如下命令： 则下列说法正确的是（）

A.该DRC文件是为Diva写的
B.metal1层上，最小间距为0.3um
C.ngate标识某一个MOS管的栅极
D.如果某一条metal1金属线的宽度为0.2um，则DRC会报错

多项选择题关于集成电路中的无源器件说法正确的是（）

A.集成电路无法高效的实现高值无源器件。
B.要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。
C.由于制造工艺上的偏差，无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）也必定很大。
D.尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）可以控制在很小的范围内。

多项选择题下列哪些属于ERC错误的有（）

A.浮动衬底
B.P衬底接到GND上
C.N井接到GND上
D.电路短路

多项选择题下列关于保护环说法正确的是（）

A.保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。
B.保护环可以接在VDD或GND上。
C.保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。
D.保护环无助于Latchup效应的避免。

多项选择题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）

A.高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。
B.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。
C.高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。
D.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。

多项选择题关于Cross Talk，下列说法正确的是（）

A.电路的输出端不能浮空，否则Cross Talk可能会引起电路的误操作。
B.Cross Talk是由于连线之间存在耦合电容引起的。
C.在两条敏感连线之间加入一条接地金属线，可以减少Cross Talk的影响。
D.一般来说，连线上信号的频率越高，Cross Talk影响就越小。

多项选择题关于LVS，下列说法正确的是（）

A.LVS出现错误说明原先版图上必定有逻辑连接错误。
B.可以通过一些开关控制某些LVS错误的出现和消除。
C.和DRC一样，LVS对版图中的各个层进行操作，但它可以把其中的器件抽取出来。
D.LVS永远把金属连线作为理想连线来对待，所以，LVS不可能辨认出用金属构建的电阻。

多项选择题下列关于DRC文件说明正确的是（）

A.DRC文件是用来说明设计规则的文件。
B.DRC文件中定义了各个层之间的逻辑操作，关系操作等。
C.DRC的工作原理是统一的，因此一个DRC文件可以用于各种不同的DRC工具。
D.DRC文件是使用来指导工具对版图进行设计规则检查的脚本文件。

多项选择题下列方法中，用于版图匹配的有（）

A.器件相邻放置
B.器件同方向放置
C.在器件周围加金属线
D.在器件周围加保护环

多项选择题下列由制程引起的版图不匹配有（）

A.扩散的不一致性
B.注入的不一致性
C.CMP引起的非理想平面
D.温度梯度

多项选择题在ICFB启动时，它会按一定的顺序搜索并加载CDS.lib文件，关于这一操作下列说法正确的是（）

A.ICFB首先搜索其安装目录下面的CDS.lib文件，并始终加载该文件。
B.ICFB首先搜索当前目录下的CDS.lib文件，若发现该文件存在，则加载该文件。
C.ICFB首先搜索当前目录下的CDS.lib文件，若发现该文件不存在，则搜索用户目录，查看是否有该文件，若有则加载它。
D.ICFB首先搜索当前目录下的CDS.lib文件，若发现该文件不存在，则加载安装目录下面的CDS.lib文件。