问答题简述N型MOSFET的工作原理。
问答题室温下.本征锗的电阻率为94Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022 cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2 V·s,μp=1700cm2 V·s且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013 cm3。
问答题中心对称是版图匹配中常用的技巧,请解释它是如何减少温度梯度的影响的?请再举出三个版图匹配的原则。
问答题试简要叙述或画出模拟集成电路和数字集成电路的设计流程。
多项选择题在做DRACULA检查(DRC或LVS)时,通常要用Vi编辑命令修改DRC命令文件或LVS命令文件,一般我们只修改那两行?()
A.outdisk(错误输出信息的gds文件名) B.indisk(重新做过StreamOut的gds文件名) C.Primary(top cell name)