问答题假设有权限,采用ftp连接IP为192.168.1.100的机器,并将本机上的本目录下的1.txt、2.txt、3.txt三个文件发送到这个机器中。写出命令列表。
问答题0.13um以下集成电路技术中,通常采用不着Cu来替代铝做互连的原因是什么?
问答题在较先进的CMOS工艺中,为什么采用多层布线,请说明原因?
问答题完成一个阶段的版图设计后,要做那两部分的检查?
问答题启动Cadence Virtuoso软件所需的三个基本文件是什么?
问答题简述N型MOSFET的工作原理。
问答题室温下.本征锗的电阻率为94Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022 cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2 V·s,μp=1700cm2 V·s且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013 cm3。
问答题中心对称是版图匹配中常用的技巧,请解释它是如何减少温度梯度的影响的?请再举出三个版图匹配的原则。
问答题试简要叙述或画出模拟集成电路和数字集成电路的设计流程。
多项选择题在做DRACULA检查(DRC或LVS)时,通常要用Vi编辑命令修改DRC命令文件或LVS命令文件,一般我们只修改那两行?()
A.outdisk(错误输出信息的gds文件名) B.indisk(重新做过StreamOut的gds文件名) C.Primary(top cell name)
多项选择题在一个DRC文件中有如下命令: 则下列说法正确的是()
A.该DRC文件是为Diva写的 B.metal1层上,最小间距为0.3um C.ngate标识某一个MOS管的栅极 D.如果某一条metal1金属线的宽度为0.2um,则DRC会报错
多项选择题关于集成电路中的无源器件说法正确的是()
A.集成电路无法高效的实现高值无源器件。 B.要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。 C.由于制造工艺上的偏差,无源器件的比例容差(Ratio Tolerance)也必定很大。 D.尽管存在制造工艺上的偏差,但是无源器件的比例容差(Ratio Tolerance)可以控制在很小的范围内。
多项选择题下列哪些属于ERC错误的有()
A.浮动衬底 B.P衬底接到GND上 C.N井接到GND上 D.电路短路
多项选择题下列关于保护环说法正确的是()
A.保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。 B.保护环可以接在VDD或GND上。 C.保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。 D.保护环无助于Latchup效应的避免。
多项选择题关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()
A.高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。 B.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。 C.高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。 D.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。