计算题 室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²/cm³，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n＝3600cm²/V·s，μ_p＝1700cm²/V·s且认为不随掺杂而变化。n_i＝2．5×10¹³/cm³。

问答题中心对称是版图匹配中常用的技巧，请解释它是如何减少温度梯度的影响的？请再举出三个版图匹配的原则。

问答题试简要叙述或画出模拟集成电路和数字集成电路的设计流程。

多项选择题在做DRACULA检查（DRC或LVS）时，通常要用Vi编辑命令修改DRC命令文件或LVS命令文件，一般我们只修改那两行？（）

A.outdisk（错误输出信息的gds文件名）
B.indisk（重新做过StreamOut的gds文件名）
C.Primary（top cell name）

多项选择题在一个DRC文件中有如下命令： 则下列说法正确的是（）

A.该DRC文件是为Diva写的
B.metal1层上，最小间距为0.3um
C.ngate标识某一个MOS管的栅极
D.如果某一条metal1金属线的宽度为0.2um，则DRC会报错

多项选择题关于集成电路中的无源器件说法正确的是（）

A.集成电路无法高效的实现高值无源器件。
B.要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。
C.由于制造工艺上的偏差，无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）也必定很大。
D.尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）可以控制在很小的范围内。