简答题 描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义。

问答题试列出可以在Terminal中显示文件内容的命令，假设本目录下的文件为123.txt。

问答题假设有权限，采用ftp连接IP为192.168.1.100的机器，并将本机上的本目录下的1.txt、2.txt、3.txt三个文件发送到这个机器中。写出命令列表。

问答题0.13um以下集成电路技术中，通常采用不着Cu来替代铝做互连的原因是什么？

问答题在较先进的CMOS工艺中，为什么采用多层布线，请说明原因？

问答题完成一个阶段的版图设计后，要做那两部分的检查？

问答题启动Cadence Virtuoso软件所需的三个基本文件是什么？

问答题简述N型MOSFET的工作原理。

问答题室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022 cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2 V·s，μp＝1700cm2 V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013 cm3。

问答题中心对称是版图匹配中常用的技巧，请解释它是如何减少温度梯度的影响的？请再举出三个版图匹配的原则。

问答题试简要叙述或画出模拟集成电路和数字集成电路的设计流程。

多项选择题在做DRACULA检查（DRC或LVS）时，通常要用Vi编辑命令修改DRC命令文件或LVS命令文件，一般我们只修改那两行？（）

A.outdisk（错误输出信息的gds文件名）
B.indisk（重新做过StreamOut的gds文件名）
C.Primary（top cell name）

多项选择题在一个DRC文件中有如下命令： 则下列说法正确的是（）

A.该DRC文件是为Diva写的
B.metal1层上，最小间距为0.3um
C.ngate标识某一个MOS管的栅极
D.如果某一条metal1金属线的宽度为0.2um，则DRC会报错

多项选择题关于集成电路中的无源器件说法正确的是（）

A.集成电路无法高效的实现高值无源器件。
B.要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。
C.由于制造工艺上的偏差，无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）也必定很大。
D.尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）可以控制在很小的范围内。

多项选择题下列哪些属于ERC错误的有（）

A.浮动衬底
B.P衬底接到GND上
C.N井接到GND上
D.电路短路

多项选择题下列关于保护环说法正确的是（）

A.保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。
B.保护环可以接在VDD或GND上。
C.保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。
D.保护环无助于Latchup效应的避免。