简答题 0.13um以下集成电路技术中，通常采用不着Cu来替代铝做互连的原因是什么？

问答题在较先进的CMOS工艺中，为什么采用多层布线，请说明原因？

问答题完成一个阶段的版图设计后，要做那两部分的检查？

问答题启动Cadence Virtuoso软件所需的三个基本文件是什么？

问答题简述N型MOSFET的工作原理。

问答题室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022 cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2 V·s，μp＝1700cm2 V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013 cm3。

问答题中心对称是版图匹配中常用的技巧，请解释它是如何减少温度梯度的影响的？请再举出三个版图匹配的原则。

问答题试简要叙述或画出模拟集成电路和数字集成电路的设计流程。

多项选择题在做DRACULA检查（DRC或LVS）时，通常要用Vi编辑命令修改DRC命令文件或LVS命令文件，一般我们只修改那两行？（）

A.outdisk（错误输出信息的gds文件名）
B.indisk（重新做过StreamOut的gds文件名）
C.Primary（top cell name）

多项选择题在一个DRC文件中有如下命令： 则下列说法正确的是（）

A.该DRC文件是为Diva写的
B.metal1层上，最小间距为0.3um
C.ngate标识某一个MOS管的栅极
D.如果某一条metal1金属线的宽度为0.2um，则DRC会报错

多项选择题关于集成电路中的无源器件说法正确的是（）

A.集成电路无法高效的实现高值无源器件。
B.要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。
C.由于制造工艺上的偏差，无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）也必定很大。
D.尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）可以控制在很小的范围内。

多项选择题下列哪些属于ERC错误的有（）

A.浮动衬底
B.P衬底接到GND上
C.N井接到GND上
D.电路短路

多项选择题下列关于保护环说法正确的是（）

A.保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。
B.保护环可以接在VDD或GND上。
C.保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。
D.保护环无助于Latchup效应的避免。

多项选择题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）

A.高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。
B.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。
C.高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。
D.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。

多项选择题关于Cross Talk，下列说法正确的是（）

A.电路的输出端不能浮空，否则Cross Talk可能会引起电路的误操作。
B.Cross Talk是由于连线之间存在耦合电容引起的。
C.在两条敏感连线之间加入一条接地金属线，可以减少Cross Talk的影响。
D.一般来说，连线上信号的频率越高，Cross Talk影响就越小。

多项选择题关于LVS，下列说法正确的是（）

A.LVS出现错误说明原先版图上必定有逻辑连接错误。
B.可以通过一些开关控制某些LVS错误的出现和消除。
C.和DRC一样，LVS对版图中的各个层进行操作，但它可以把其中的器件抽取出来。
D.LVS永远把金属连线作为理想连线来对待，所以，LVS不可能辨认出用金属构建的电阻。