问答题在较先进的CMOS工艺中，为什么采用多层布线，请说明原因？
问答题完成一个阶段的版图设计后，要做那两部分的检查？
问答题启动Cadence Virtuoso软件所需的三个基本文件是什么？
问答题简述N型MOSFET的工作原理。
问答题室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022 cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2 V·s，μp＝1700cm2 V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013 cm3。
