接触式光刻:分辨率较高,但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光:在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10~25um),可以大大减小掩膜版的损伤,分辨率较低。 投影式曝光:利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法,目前用的最多的曝光方式。
问答题负胶是怎样的?
问答题简述正胶。
问答题光刻三要素分别是什么?
问答题什么是制膜?
问答题简述掺杂。
问答题简述集成电路制造流程。
问答题集成电路工艺方法分为哪些?
问答题什么是集成电路工艺?
问答题分别解释IC、VLSI、ULSI、CMP、CVD、LPCVD、RIE、SOI、ERC、DRC、EXT等的含义。
问答题简述微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延。
问答题集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类,各有什么特点?
问答题集成电路常用的材料有哪些?
问答题简述集成电路发展的摩尔定律。
问答题描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义。
问答题试列出可以在Terminal中显示文件内容的命令,假设本目录下的文件为123.txt。