A.湿氧比干氧慢得多B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的C.水汽氧化层比干氧氧化层致密D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率
多项选择题CMOSIC通常采取那种隔离方法（）
A.局部场氧化B.浅槽隔离C.pn结隔离D.混合隔离
多项选择题可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）
A.增长光源波长B.增大分辨率系数C.减小分辨率系数D.缩短光源波长
多项选择题下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）
A.RIEB.MOCVDC.溅射D.LPCVD
单项选择题实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率（）
A.对温度不太敏感B.对温度非常敏感C.源的气相扩散的影响不大D.源气体分压的影响不大
判断题涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。
