可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）

多项选择题下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）

A.RIE
B.MOCVD
C.溅射
D.LPCVD

单项选择题实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率（）

A.对温度不太敏感
B.对温度非常敏感
C.源的气相扩散的影响不大
D.源气体分压的影响不大

多项选择题蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）

A.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化
B.为了降低镀膜中的杂质
C.为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程
D.为了制备的镀膜表面更平坦

单项选择题PVD与CVD比较，下列哪种说法正确（）

A.CVD普适性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工艺温度更低
D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差

单项选择题下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）

A.空位
B.填隙杂质
C.自填隙
D.替位杂质