A.是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数B.是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函数C.是恒定源扩散，杂质浓度分……

单项选择题关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）

A.湿氧比干氧慢得多
B.氧化反应是在Si/SiO₂界面发生的
C.水汽氧化层比干氧氧化层致密
D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率

多项选择题CMOSIC通常采取那种隔离方法（）

A.局部场氧化
B.浅槽隔离
C.pn结隔离
D.混合隔离

多项选择题可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）

A.增长光源波长
B.增大分辨率系数
C.减小分辨率系数
D.缩短光源波长

多项选择题下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）

A.RIE
B.MOCVD
C.溅射
D.LPCVD

单项选择题实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率（）

A.对温度不太敏感
B.对温度非常敏感
C.源的气相扩散的影响不大
D.源气体分压的影响不大