判断题实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
判断题中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。
判断题CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。
多项选择题蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）
A.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化B.为了降低镀膜中的杂质C.为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程D.为了制备的镀膜表面更平坦
单项选择题PVD与CVD比较，下列哪种说法正确（）
A.CVD普适性更好B.PVD薄膜的保形性更好C.CVD工艺温度更低D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差
