A.局部场氧化B.浅槽隔离C.pn结隔离D.混合隔离CMOSIC通常采取那种隔离方法（）……

多项选择题可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）

A.增长光源波长
B.增大分辨率系数
C.减小分辨率系数
D.缩短光源波长

多项选择题下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）

A.RIE
B.MOCVD
C.溅射
D.LPCVD

单项选择题实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率（）

A.对温度不太敏感
B.对温度非常敏感
C.源的气相扩散的影响不大
D.源气体分压的影响不大

判断题涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。

判断题实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。