1.减小串联电阻（集成电路中的各个电极均从上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长。 2.减小寄生pnp晶体管的影响。 埋层的掺杂浓度要高于衬底、掺杂类型通常要相反。
问答题P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同？
问答题简述硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系。
问答题MEMS定义是什么？
问答题设计制备NMOSFET的工艺，并画出流程图。
问答题简述光刻的工艺过程。
问答题集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，各工艺的主要作用是什么？
问答题氧化硅的主要作用有哪些？
问答题集成电路工艺划分为哪些？
问答题什么是退火？
问答题简述反应离子刻蚀。
问答题什么是等离子刻蚀？
问答题简述溅射与离子束铣蚀。
问答题什么是干法刻蚀？
问答题简述湿法刻蚀。
问答题什么是刻蚀技术？
