简答题 简述硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系。

【参考答案】

N阱——做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬底
有源区——做晶体管的区域（G，D，S，B），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层
多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅。
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