关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）

多项选择题CMOSIC通常采取那种隔离方法（）

A.局部场氧化
B.浅槽隔离
C.pn结隔离
D.混合隔离

多项选择题可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）

A.增长光源波长
B.增大分辨率系数
C.减小分辨率系数
D.缩短光源波长

多项选择题下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）

A.RIE
B.MOCVD
C.溅射
D.LPCVD

单项选择题实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率（）

A.对温度不太敏感
B.对温度非常敏感
C.源的气相扩散的影响不大
D.源气体分压的影响不大

多项选择题蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）

A.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化
B.为了降低镀膜中的杂质
C.为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程
D.为了制备的镀膜表面更平坦