问答题

简答题试说明CMOS工艺在硅片上形成氧化物的主要方法，以及他们间的本质区别。

【参考答案】

硅片上的氧化物有许多种方法产生：热生长和淀积，包括：热氧化法、CVD、热分解淀积法、阳极氧化法、反应溅射法等。
本质区别：热生长要消耗表面硅材料，而淀积则不消耗表面硅材料。

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