问答题试说明CMOS工艺在硅片上形成氧化物的主要方法,以及他们间的本质区别。
问答题CMOS工艺中为什么要形成侧墙?在哪一个工艺环节形成及为什么?并说明其形成步骤及主要作用。
问答题什么是阱?CMOS工艺中阱的作用是什么?试说明CMOS双阱工艺中的阱是如何形成的?
问答题试说明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及为什么?
问答题试说明MOS工艺中存在的自对准结构及他们的主要优点。