问答题

简答题 CMOS工艺中为什么要形成侧墙？在哪一个工艺环节形成及为什么？并说明其形成步骤及主要作用。

【参考答案】

步骤：
1）淀积二氧化硅
2）二氧化硅反刻
作用：用来环绕多晶硅栅，作为n+和p+源漏注入中的掩膜，挡住杂质离子向栅极下结构（氧化层各半导体层）的注入，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

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