简答题 CMOS工艺中为什么要形成侧墙？在哪一个工艺环节形成及为什么？并说明其形成步骤及主要作用。

【参考答案】

步骤：
1）淀积二氧化硅
2）二氧化硅反刻
作用：用来环绕多晶硅栅，作为n+和p+源漏注入......

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