简答题 试说明MOS工艺中存在的自对准结构及他们的主要优点。

【参考答案】

源漏的自对准注入（LDD）：在硅栅工艺中，利用多晶硅栅的掩蔽作用自对准地进行源漏区的杂质注入，并同时完成多晶硅栅的杂质注入。是将两次掩膜步骤合为一次，让D，S和G三个区域一次成形的一种自对准技术。
自对准硅化物（Salicidation）：在IC工艺中，形成良好的欧姆接触以减少串联电阻也是......

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