LDD技术（轻掺杂漏注入技术）结构：在沟道的漏端及源端增加低掺杂区。LDD使用的较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态，可降低沟道端口处的掺杂浓度及掺杂浓度的分布梯度，有助于维持浅结。
问答题试说明MOS工艺中存在的自对准结构及他们的主要优点。
问答题什么是硅栅自对准技术？简单说明其主要制作步骤和主要优点。
问答题试说明在CMOS工艺中主要采用的器件隔离技术，并说明每种工艺技术的主要特点和适用范围。
问答题什么是浅槽沟道隔离？其主要作用是什么？说明其主要优点及适用工艺范围？
问答题工艺最后生长在顶层的介质层称为什么？有什么材料构成？其主要作用是什么？
