N阱，P阱，多晶硅栅，N+源漏，P+源漏，接触孔，通孔，金属互联及钝化孔。
问答题试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
问答题亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么？试说明其主要工艺步骤。
问答题试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤，并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。
问答题试说明MOS IC中器件之间是如何隔离的，并说明器件隔离的主要作用和基本方法。
问答题试描述标准埋层双极晶体管工艺的主要流程并说明光刻掩膜版的作用。
