简答题 试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤，并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。

【参考答案】

LOCOS即硅的局部氧化隔离技术，是亚微米以前的硅IC制造的标准隔离技术。它是采用选择氧化方法来制备厚的场氧化层，且工艺上形成厚的氧化层和高浓度的杂质注入是利用同一次光刻完成的一种器件隔离技术。
步骤：生长一层薄氧化层（pad oxide垫氧）（LPCVD）淀积氮化硅（nitri......

(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)