步骤： 阱区离子注入； 定义有源区刻蚀及在绝缘沟槽中填充氧化物； 淀积及形成多晶硅层图形； 源区和漏区及衬底接触的离子注入； 形成接触和通孔窗口淀积及形成金属层图形。 特点：每一材料层都要进行光刻；硅膳自对准，即硅栅先于源漏区形成。
问答题试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
问答题试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
问答题亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么？试说明其主要工艺步骤。
问答题试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤，并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。
问答题试说明MOS IC中器件之间是如何隔离的，并说明器件隔离的主要作用和基本方法。
