浅槽沟道隔离（STI）技术 步骤： Deposit Nitride，Oxide； Etch Nitride，Oxide and Silicon； Strip Photoresist； HDP CVD Oxide； CMP Oxide，Stop on Nitride。
问答题试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤，并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。
问答题试说明MOS IC中器件之间是如何隔离的，并说明器件隔离的主要作用和基本方法。
问答题试描述标准埋层双极晶体管工艺的主要流程并说明光刻掩膜版的作用。
问答题试说明标准埋层双极晶体管的集电极是如何引出的及其作用。
问答题试说明在标准埋层双极晶体管工艺中器件之间是如何隔离的。
