浅槽沟道隔离（STI）技术 步骤： Deposit Nitride，Oxide； Etch Nitride，Oxide and Silicon； Strip Photoresist； HDP CVD Oxide； CMP Oxide，Stop on Nitride。
问答题试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤，并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。
问答题试说明MOS IC中器件之间是如何隔离的，并说明器件隔离的主要作用和基本方法。
