光刻区的光刻胶是一种光敏媒介,通过对它进行深紫外线曝光来印制掩膜版的图形,实现图像转移; 刻蚀区的光刻胶用于保护不被刻蚀的图形; 离子注入区的光刻胶用于掩蔽不需进行掺杂的区域。
问答题光刻的主要目的是什么?光刻胶再光刻中的作用是什么?
问答题哪些基本工艺方法要用到掩膜板?并说明在这些工艺中掩膜板的主要作用。
问答题什么是外延层?其主要作用是什么?并说明其在当前IC工艺中的主要应用。
问答题什么是CMP?其主要作用是什么?最终目的是什么?
问答题半导体工艺中常用的薄膜形成工艺有哪些?并举例说明它们可分别用于哪些材料的淀积(每种工艺只列一种材料)