目的：在薄膜层上刻蚀出与掩模上完全对应的几何图形以实现选择性掺杂、腐蚀和氧化等目的。 作用：光刻区的光刻胶是一种光敏媒介，通过对它进行深紫外线曝光来印制掩膜版的图形，实现图像转移；刻蚀区的光刻胶用于保护不被刻蚀的图形；离子注入区的光刻胶用于掩蔽不需进行掺杂的区域。
问答题哪些基本工艺方法要用到掩膜板？并说明在这些工艺中掩膜板的主要作用。
问答题什么是外延层？其主要作用是什么？并说明其在当前IC工艺中的主要应用。
问答题什么是CMP？其主要作用是什么？最终目的是什么？
问答题半导体工艺中常用的薄膜形成工艺有哪些？并举例说明它们可分别用于哪些材料的淀积（每种工艺只列一种材料）
问答题什么是掺杂？硅半导体工艺中采用何种工艺实现掺杂？它们的基本原理是什么？
