第一次：有源区的轻掺杂漏注入（LDD）时，用光刻胶保护不需注入的其他区域； 第二次：在对有源区进行更大剂量的注入之前，用氧化硅形成侧墙环绕多晶硅栅进行保护，以避免发生可能的源漏穿通。 第三次：在对有源区进行大剂量的注入时，同时用光刻胶和氧化硅进行保护。
问答题列出简化的双阱CMOS工艺流程中的主要步骤，并说明该流程的两个主要特点。
问答题试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
问答题试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
问答题亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么？试说明其主要工艺步骤。
问答题试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤，并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。
