同型掺杂：所掺杂质与晶圆中原有杂质类型相同。 目的：提高限定区域中的杂质原子的浓度。 反型掺杂：掺杂的杂质原子类型与晶圆中原有杂质类型相反。 目的：掺杂区的类型由P型变为N型，或由N型变为P型时，在二者浓度相等处就会形成PN结。
问答题试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺的主要步骤，并说明个步骤的主要作用和工艺温度。
问答题明两步扩散法的基本思想，及其每一步工艺的主要特点和目的。
问答题解释有限表面源扩散，列出有限表面源扩散的三种主要工艺参数，并说明其含义和主要影响因素。
问答题列出恒定表面源扩散的三种主要工艺参数，并说明其含义和主要影响因素。
问答题什么是恒定表面源扩散？其扩散形成的结深主要受哪些因素的影响？其中哪一个影响最主要？为什么？
