问答题请说明在形成晶体管的有源区掺杂过程中需要进行哪些保护?分别用什么材料作为保护层?
问答题列出简化的双阱CMOS工艺流程中的主要步骤,并说明该流程的两个主要特点。
问答题试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
问答题试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
问答题亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么?试说明其主要工艺步骤。