A.色相 B.明度 C.色谱 D.色差 E.饱和度
单项选择题关于自身上釉的说法中，错误的是（）
A.自身上釉指的是将修复体烧结到一定温度的过程，该温度常与原来的烧结温度相同或比原来的烧结温度稍低 B.在达到上釉的温度之后，应立即从烤瓷炉中取出修复体，或者维持1～2分钟时间，直到瓷的外表面形成理想的光泽度为止 C.在烧结过程中，瓷表面会玻璃化并充分熔融，充填不规则的或多孔的表面 D.自身上釉的陶瓷表面光泽度与烧结时间和温度有密切关系，温度越高，在该温度下的时间越长，表面就会越光滑 E.上釉时温度过高或时间过长，陶瓷表面会塌陷，从而破坏修复体的外形
单项选择题釉粉上釉使用的是（）
A.低熔瓷 B.中熔瓷 C.高熔瓷 D.不确定，视瓷粉种类而定 E.以上都错误
单项选择题上釉时（），陶瓷表面会塌陷而破坏修复体的外形。
A.温度过高或时间过长 B.温度过高或时间过短 C.温度过低或时间过长 D.温度过低或时间过短 E.以上都错误
单项选择题自身上釉指的是将修复体烧结到与原来的烧结温度相同或稍高的过程。达到上釉的温度之后，应维持（）时间，直到瓷的外表面形成理想的光泽度为止（）
A.20～30秒 B.30～60秒 C.1～2分钟 D.2～4分钟 E.5～7分钟
单项选择题三单位烤瓷桥瓷层构筑的技巧中，错误的是（）
A.涂塑遮色瓷时，连接体等凹部振动时瓷易散落，涂塑时应避免过薄 B.瓷泥调合过稀时瓷牙冠形成困难，层次结构变形，且因反复吸水影响速度 C.瓷泥调合过稠容易产生瓷层裂痕或气泡陷入 D.瓷泥涂塑应循序渐进，每层涂塑时应及时多次吸除多余水分，压填时用力均匀 E.各层瓷粉涂覆时不得混合掺杂，添加水分时不得影响各瓷层结构的层次
单项选择题Marking法构筑后牙桥的瓷层，其特点中错误的是（）
A.容易掌握 B.能轻松得到精确的后牙咬合关系 C.可避免牙尖过大磨改 D.牙冠色泽良好 E.简便，无需多次烧结
单项选择题后牙单个烤瓷冠上瓷，回切后，回切空间用牙釉质瓷恢复，再用透明瓷放量堆筑（），以补偿瓷的烧结收缩。
A.2%～5% B.5%～10% C.10%～15% D.15%～20% E.20%～25%
单项选择题涂塑牙本质瓷、切端瓷、透明瓷的注意事项中错误的是（）
A.塑瓷的工作间应非常干净，防止尘粒、杂物或金属碎屑混入瓷层 B.瓷层堆塑时振动、吸水应适度，否则易使瓷层变形、坍塌 C.堆瓷应熟练无误，以免操作时间过长，瓷层混杂而影响色泽 D.每次添瓷时，应保证已涂布的瓷面的干燥，以免瓷层间产生气泡 E.堆塑时，毛笔应保持干净与湿润，并保证有稳定的笔锋，以便于涂瓷工作
单项选择题第一次烧结后的瓷牙表面有光滑的质感，可对瓷牙邻面及he面的接触点进行调磨修改，根据外形可补加一层牙本质瓷、切端瓷或透明瓷，然后用比第一次烧结（）的温度进行第二次烧结。
A.高5～10℃ B.高10～30℃ C.低5～10℃ D.低10～30℃ E.一致
单项选择题不透明层应完全遮盖金属，但又不能过厚，一般糊剂型厚度为（）
A.0.1mm B.0.2mm C.0.3mm D.0.4mm E.0.5mm
