A.低熔瓷 B.中熔瓷 C.高熔瓷 D.不确定,视瓷粉种类而定 E.以上都错误
单项选择题上釉时(),陶瓷表面会塌陷而破坏修复体的外形。
A.温度过高或时间过长 B.温度过高或时间过短 C.温度过低或时间过长 D.温度过低或时间过短 E.以上都错误
单项选择题自身上釉指的是将修复体烧结到与原来的烧结温度相同或稍高的过程。达到上釉的温度之后,应维持()时间,直到瓷的外表面形成理想的光泽度为止()
A.20~30秒 B.30~60秒 C.1~2分钟 D.2~4分钟 E.5~7分钟
单项选择题三单位烤瓷桥瓷层构筑的技巧中,错误的是()
A.涂塑遮色瓷时,连接体等凹部振动时瓷易散落,涂塑时应避免过薄 B.瓷泥调合过稀时瓷牙冠形成困难,层次结构变形,且因反复吸水影响速度 C.瓷泥调合过稠容易产生瓷层裂痕或气泡陷入 D.瓷泥涂塑应循序渐进,每层涂塑时应及时多次吸除多余水分,压填时用力均匀 E.各层瓷粉涂覆时不得混合掺杂,添加水分时不得影响各瓷层结构的层次
单项选择题Marking法构筑后牙桥的瓷层,其特点中错误的是()
A.容易掌握 B.能轻松得到精确的后牙咬合关系 C.可避免牙尖过大磨改 D.牙冠色泽良好 E.简便,无需多次烧结
单项选择题后牙单个烤瓷冠上瓷,回切后,回切空间用牙釉质瓷恢复,再用透明瓷放量堆筑(),以补偿瓷的烧结收缩。
A.2%~5% B.5%~10% C.10%~15% D.15%~20% E.20%~25%