A.CVD普适性更好B.PVD薄膜的保形性更好C.CVD工艺温度更低D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差
单项选择题下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是()
A.空位B.填隙杂质C.自填隙D.替位杂质
单项选择题CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是()
A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭C.多晶硅原料纯度不够高D.干锅清洗不干净造成
多项选择题IC采用铝互连系统时,下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象()
A.在淀积的铝膜中掺入约1%SiB.在淀积的铝膜中掺入约1%CuC.在铝膜表面覆盖Si3N4D.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜
多项选择题关于光学光刻,下列哪种方法可以获得高分辨率()
A.光源为紫光B.使用移相掩膜技术制备的光刻版C.采取浸入式光刻方法D.驻波效应对分辨率无影响
多项选择题溅射与蒸镀比较,下列那种说法正确()
A.蒸镀工艺的普适性更好B.溅射工艺的普适性更好C.溅射工艺薄膜质量(如粘附性、保形性等)更好D.蒸镀工艺薄膜质量(如粘附性、保形性等)更好