A.RIEB.MOCVDC.溅射D.LPCVD
单项选择题实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率（）
A.对温度不太敏感B.对温度非常敏感C.源的气相扩散的影响不大D.源气体分压的影响不大
判断题涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。
判断题实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
判断题中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。
判断题CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。
