在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。

单项选择题光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方式称为（）。

A.接触式
B.接近式
C.投影式
D.步进式

单项选择题源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。

A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散

单项选择题未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG

单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

A.场氧区
B.源、漏
C.栅
D.有源区

单项选择题显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

A.负胶
B.正胶
C.光刻抗蚀剂
D.光阻

单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。

A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区

单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。

A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG

单项选择题如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化

单项选择题版图设计中下述哪个不是金属2和金属3之间的通孔所用到的图层：（）。

A.金属2
B.金属3
C.孔2
D.孔3

单项选择题下列版图中显示的图层不会被制成掩膜版的是：（）。

A.多晶层
B.电阻标识层
C.有源区层
D.金属层