我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

单项选择题显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

A.负胶
B.正胶
C.光刻抗蚀剂
D.光阻

单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。

A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区

单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。

A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG

单项选择题如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化

单项选择题版图设计中下述哪个不是金属2和金属3之间的通孔所用到的图层：（）。

A.金属2
B.金属3
C.孔2
D.孔3