A.PSGB.USGC.BSGD.FSG
单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的()。
A.场氧区B.源、漏C.栅D.有源区
单项选择题显影后,被曝光区域的光刻胶被去除,该种光刻胶称为()。
A.负胶B.正胶C.光刻抗蚀剂D.光阻
单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。
A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区
单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG
单项选择题如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化
单项选择题版图设计中下述哪个不是金属2和金属3之间的通孔所用到的图层:()。
A.金属2B.金属3C.孔2D.孔3
单项选择题下列版图中显示的图层不会被制成掩膜版的是:()。
A.多晶层B.电阻标识层C.有源区层D.金属层
单项选择题下列哪个命令是用来对调用的symbol视图进行的下级电路查看和修改的?()
A.descend editB.descend readC.returnD.return to top
单项选择题下列可以运行cadence设计软件运行的操作系统是:()。
A.win7B.win10C.solarisD.DOS
单项选择题集成电路设计按()分一般可分为双极集成电路设计、MOS集成电路设计。
A.自动化程度B.器件类型C.电路类型D.工艺类型