A.氧化B.扩散C.光刻D.刻蚀以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。……

单项选择题在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。

A.沟道效应
B.鸟嘴效应
C.寄生效用
D.闩锁效应

单项选择题光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方式称为（）。

A.接触式
B.接近式
C.投影式
D.步进式

单项选择题源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。

A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散

单项选择题未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG

单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

A.场氧区
B.源、漏
C.栅
D.有源区