A.负胶B.正胶C.光刻抗蚀剂D.光阻
单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。
A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区
单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG
单项选择题如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化
单项选择题版图设计中下述哪个不是金属2和金属3之间的通孔所用到的图层:()。
A.金属2B.金属3C.孔2D.孔3
单项选择题下列版图中显示的图层不会被制成掩膜版的是:()。
A.多晶层B.电阻标识层C.有源区层D.金属层