A.还原剂B.分散剂C.腐蚀介质D.磨料
多项选择题CMP的设备构成包括()。
A.台板B.抛光液C.抛光垫D.夹持设备
多项选择题新的平坦化方法有哪几个?()
A.固结磨料CMP技术B.无磨粒CMP技术C.无应力抛光技术D.电化学机械平坦化技术
多项选择题光刻工艺对准误差包括()。
A.上下偏移B.X或Y方向的平移C.转动D.套准误差
多项选择题光刻工艺的特点包括()。
A.决定特征尺寸的关键工艺B.光刻与芯片的价格和性能密切相关C.光刻工艺过程复杂D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术
单项选择题光刻工艺的设备核心是()。
A.掩膜版B.对准和曝光C.光刻机D.光刻胶