光刻工艺对准误差包括（）。

多项选择题光刻工艺的特点包括（）。

A.决定特征尺寸的关键工艺
B.光刻与芯片的价格和性能密切相关
C.光刻工艺过程复杂
D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术

单项选择题光刻工艺的设备核心是（）。

A.掩膜版
B.对准和曝光
C.光刻机
D.光刻胶

单项选择题进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

A.碱溶液清洗
B.有机溶液清洗
C.HF结尾的清洗工艺
D.去离子水冲洗

多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

A.光刻胶
B.Si衬底
C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物
D.刻蚀溶液

多项选择题掺杂后，退火的目的是（）。

A.实现电激活
B.修复损伤
C.提高掺杂均匀性
D.加大损伤