CMP的设备构成包括（）。

多项选择题新的平坦化方法有哪几个？（）

A.固结磨料CMP技术
B.无磨粒CMP技术
C.无应力抛光技术
D.电化学机械平坦化技术

多项选择题光刻工艺对准误差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.转动
D.套准误差

多项选择题光刻工艺的特点包括（）。

A.决定特征尺寸的关键工艺
B.光刻与芯片的价格和性能密切相关
C.光刻工艺过程复杂
D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术

单项选择题光刻工艺的设备核心是（）。

A.掩膜版
B.对准和曝光
C.光刻机
D.光刻胶

单项选择题进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

A.碱溶液清洗
B.有机溶液清洗
C.HF结尾的清洗工艺
D.去离子水冲洗