光刻工艺的设备核心是（）。

单项选择题进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

A.碱溶液清洗
B.有机溶液清洗
C.HF结尾的清洗工艺
D.去离子水冲洗

多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

A.光刻胶
B.Si衬底
C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物
D.刻蚀溶液

多项选择题掺杂后，退火的目的是（）。

A.实现电激活
B.修复损伤
C.提高掺杂均匀性
D.加大损伤

多项选择题常压的硅外延方法有（）。

A.四氯化硅氢还原法
B.三氯氢硅氢还原法
C.二氯氢硅烷法
D.硅烷热分解法

单项选择题刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

A.氧化
B.离子注入
C.光刻
D.抛光