A.固结磨料CMP技术B.无磨粒CMP技术C.无应力抛光技术D.电化学机械平坦化技术
多项选择题光刻工艺对准误差包括（）。
A.上下偏移B.X或Y方向的平移C.转动D.套准误差
多项选择题光刻工艺的特点包括（）。
A.决定特征尺寸的关键工艺B.光刻与芯片的价格和性能密切相关C.光刻工艺过程复杂D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术
单项选择题光刻工艺的设备核心是（）。
A.掩膜版B.对准和曝光C.光刻机D.光刻胶
单项选择题进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。
A.碱溶液清洗B.有机溶液清洗C.HF结尾的清洗工艺D.去离子水冲洗
多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。
A.光刻胶B.Si衬底C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物D.刻蚀溶液
